MOSFET 光耦(光电耦合器外形示意图)

如下侧的光电耦合器图所示,当发光二极管(LED)点亮光电晶体管时,光产生的光电流从集电极流向光电晶体管的基极。

 

MOSFET 光耦(光电耦合器外形示意图)

先进光半导体

 

因此,当LED不点亮时,光电晶体管被切断,并且当LED强烈地点亮时,大的光电流从集电极流向基极,并且光电晶体管稳定地导通。

与简单地使基极-集电极短路时不同,即使集电极-发射极电压小于晶体管的基极-发射极正向电压,光电流仍然流动并且光电晶体管导通。

另一方面,如右图所示,OCMOSFET装有光伏电池,当LED点亮时,光伏电池对栅极电容充电以增加栅极-源极电压,从而导通了MOSFET中的MOSFET。接触式的情况。

对于断开型接触,FET导通而没有栅源电压。但是,当LED点亮时,光伏电池会反向偏置栅极-源极电压,从而切断FET。

当make-typeOCMOSFET关闭时,光伏电池不仅停止充电,而且内部放电器开关自动闭合,从而迫使栅极放电。结果,栅极-源极电压立即下降。

OCMOSFET中的两个FET反向串联在一起。因此,当OCMOSFET导通时,两个FET都是双向导通的。但是,当OCMOSFET不导通时,仅在施加电压被切断的正向FET上导通,而另一个FET的寄生二极管导通

由于上述结构差异,光电耦合器和OCMOSFET具有以下特性差异:

1.尽管光耦合器在输出中仅传导DC(直流电),但是OCMOSFET可以在FET中传导DC和AC(交流电)

2.通常,光耦合器的工作速度为微秒或更高,而OCMOSFET的工作速度为毫秒。

3.尽管光耦合器的输出传导特性随输入电流值而变化,但OCMOSFET的输出传导特性与输入电流值无关。

4,从理论上讲,光耦合器对应于输入变为导电。但是,在施加输入时,有两种OCMOSFET:一种导电(a触点:闭合型触点)和一种断开(b触点:断开型触点)。

因此,尽管对于OCMOSFET不能期望像光电耦合器这样的高速操作,但是OCMOSFET可以在很小的输入电流(小至几毫安)的情况下切换交流电以及在安培范围内的大电流。

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